Поиск по тегу: сопротивление

В прошлом году команда из Делфтского технического университета и Амстердамского свободного университета (оба — Нидерланды) установила новый рекорд скорости езды на велосипеде по равнинной местности: байк с аэродинамической капсулой VeloX3 удалось разогнать до 133,78 км/ч.

Теперь британцы из Ливерпульского университета рассчитывают на ещё более высокий результат со своим велосипедом Arion1.

Основная конструкция Arion1, как и в случае с VeloX3, накрыта аэродинамической капсулой, минимизирующей сопротивление воздуха. Окончательные размеры и дизайн «кокона» будут рассчитываться под конкретного пилота. Утверждается, что по аэродинамическим характеристикам капсула в 40 раз превосходит суперкар Bugatti Veyron.

Команда Arion1 рассчитывает показать скорость в 144,8 км/ч. Для этого пилоту придётся вырабатывать мощность в 700 Вт. Но сначала ему предстоит пройти 16-месячный курс специальных тренировок.

Свой проект Arion1 намеревается завершить к маю 2015-го, а заезд должен состояться в сентябре того же года.

Подготовлено по материалам Gizmag.

Есть несколько технологий изготовления энергонезависимой памяти с произвольным доступом, которая в перспективе должна стать альтернативой широко распространённой флеш-памяти NAND. Недавно мы рассказывали о резистивной методике — RRAM, или ReRAM. Основная идея RRAM заключается в том, что диэлектрики, которые в нормальном состоянии имеют очень высокое сопротивление, после приложения достаточно высокого напряжения могут сформировать внутри себя проводящие нити низкого сопротивления и, по сути, превратиться из диэлектрика в проводник. То есть материал фактически является управляемым постоянным резистором с двумя или более переключаемыми уровнями сопротивления.

Сегодня поговорим об энергонезависимой памяти с изменяемым фазовым состоянием, обозначающейся как PCM, PRAM или даже PCRAM.

Теперь японские исследователи из Ассоциации низковольтной электроники и Цукубского университета отрапортовали о создании новой технологии, значительно улучшающей характеристики РСМ-памяти. Утверждается, что по сравнению с существующими методиками предложенный способ позволяет сократить время записи и требующуюся силу тока на 90% и более при одновременном увеличении циклов перезаписи до 100 млн.

Почти все существующие прототипы РСМ-накопителей используют халькогениды в сочетании с германием, сурьмой и теллуром (GeSbTe). При нагревании до высокой температуры (более 600 °C) халькогенидная составляющая материала теряет свою кристаллическую структуру. При остывании она превращается в аморфную стеклоподобную форму, а электрическое сопротивление возрастает. При нагревании халькогенида до температуры выше его точки кристаллизации, но ниже температуры плавления он переходит в кристаллическое состояние с куда более низким сопротивлением.

Японцы предлагают применять вместо GeSbTe плёнку с химической формулой GeTe/Sb2Te3. При записи информации напряжение питания равно 0,4 В, что вдвое меньше по сравнению с предыдущими разработками.

Ожидается, что предложенная технология будет готова к выводу на рынок в 2018–2020 годах.

Существуют и другие методы улучшения характеристик памяти с изменяемым фазовым состоянием. Так, для снижения энергопотребления может использоваться особая схема кодирования данных в микрочипах РСМ. Технология основана на том, что процессы чтения/записи имеют асимметричный характер: переход из одного состояния в другое требует интенсивного нагрева в течение короткого времени, а обратный переход происходит при меньшем, но более продолжительном нагреве. Учёные показали, что при помощи комбинирования методов динамического и целочисленного линейного программирования можно минимизировать количество перемещений битов данных. Это позволяет улучшить показатели энергетической эффективности, а также повысить долговечность ячеек.

Подготовлено по материалам Tech-On!.