Поиск по тегу: современными

Самой пожилой жительнице Миннесоты пришлось на несколько лет убавить свой реальный возраст, чтобы завести себе страницу на Facebook. Верхняя планка допустимого возраста пользователя правилами соцсети не установлена, однако она по умолчанию составляет 109 лет. Но Анне Стоэр, присоединившейся к числу пользователей Facebook за несколько дней до своего 114-го дня рождения, такой вариант все равно не подходит.

Как передает TJournal, Стоэр недавно начала пользоваться современными технологиями, после того, как подружилась с Джозефом Рамиресом, торговым представителем Verizon, продавшим смартфон ее 85-летнему сыну.

За короткое время старушка освоила Google и FaceTime на iPad и решила зарегистрироваться в социальной сети, чтобы общаться с людьми по всему миру. При регистрации Анна столкнулась с проблемой, так как самым давним годом рождения, который она могла выбрать из выпадающего списка, оказался 1905-й. В итоге пожилая женщина, родившаяся в 1900 году, решила указать, что ей 99 лет.

Позже она с помощью Рамиреса напечатала на машинке письмо для основателя ресурса Марка Цукерберга со словами «Я все еще здесь», сообщает Teh Daily Dot.

На странице Анны сейчас размещена ее фотография с недавнего дня рождения, а в профиле добавлен 31 друг.

Для сравнения, во «ВКонтакте» самый ранний год рождения, доступный для пользователей, — 1901-й, то есть Анна Стоэр не смогла бы нормально зарегистроваться и там.

Максимальный объем оперативной памяти в современных смартфонах не превышает 3 ГБ (пока). И дело не только в ненадобности большего объема, но и в себестоимости модулей памяти. Но, похоже, что вскоре данная проблема будет решена.

Уже давно ученые работают над созданием нового типа памяти — RRAM (resistive random access memory), которая может хранить намного больше информации по сравнению с современными модулями при меньших габаритах. Однако производство ее до сих пор было сопряжено с серьезными трудностями — необходима была высокая температура и вольтаж. Это, в свою очередь, далеко не лучшим образом сказывалось на себестоимости RRAM.

И вот исследователи из Университета Райса (в США) разрешили основные проблемы при производстве RRAM. Теперь такую память можно выпускать при комнатной температуре, используя невысокое напряжение.

Это дает серьезный толчок развитию новой технологии. Помимо высокой скорости чтения/записи, данный тип памяти может хранить намного больше информации, чем обычная Flash-память. К примеру, уже есть образцы модулей памяти объемом 1 ТБ размером с обычную почтовую марку.

Представители университета уже заявили, что их технологией заинтересовался крупный мировой производитель памяти (какой именно, не сообщается). Сделка с ним может быть заключена в ближайшие недели. Это означает, что в ближайшие годы объем встроенных накопителей в смартфонах, планшетах и ноутбуках может резко вырасти, а их стоимость — упасть.