Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства первых в отрасли на супер-быстрых 128-гигабайтного флэш-памяти, основанный на интерфейсе, UFS 2.0 (Universal Flash Storage). Он совместим со стандартом JEDEC и подходит для использования в новейших поколений флагманских смартфонов.
Памяти UFS поддерживает «Очередь команд» (Command Queue), технологию, увеличивающую скорость выполнения команд SSD-дисков через последовательный интерфейс. Такой подход ускоряет памяти по сравнению с устройствами стандарта eMMC 5.0 восьмибитным параллельный интерфейс. В результате память Samsung UFS провел 19 тыс. операций ввода/вывода в секунду при случайно читал, что в 2,7 раза быстрее, чем большинство современных решений памяти стандарта EMMC 5.0, используемых в высокопроизводительных смартфонов. Также памяти обеспечивает увеличение скорости операций последовательного чтения/записи до уровня SSD, хотя и потребляет вдвое меньше энергии. А скорость случайного чтения в 12 раз больше, чем та, которую демонстрирует типичные высокоскоростной карты памяти (1500 IOPS), что должно положительно сказаться на производительности системы в целом. Скорость операции случайной записи данных на диск 14 тысяч IOPS, что в 28 раз быстрее обычных внешних карт памяти. Эта скорость позволяет воспроизводить видео с разрешением UHD.
Новые UFS, производства Samsung представлены в трех вариантах — с объемом 128, 62 и 32 гигабайт. Гибкость при разработке новых мобильных устройств обеспечивает выпуск новых элементов в формате ePoP (embedded package on package, встроенный пакет в пакет), что дает возможность брать в два раза меньше места.